Intracenter processes induced by electron beam and 337 nm laser light in CsI:Tl

Abstract

Исследованы спектрально-кинетические свойства активаторной люминесценции, возбуждаемой в кристалле CsI:Tl импульсным электронным пучком и импульсным азотным лазером в области  = 337,1 нм, что соответствует длинноволновому спаду А-полосы поглощения. Обнаружено, что кинетика затухания полос люминесценции с максимумами 2,6 и 2,25 эВ, возбуждаемых электронным пучком при 80 К, является моноэкспоненциальной с постоянной времени τ = 4 мкс и τ = 13 мкс, соответственно. Кинетика затухания каждой из полос люминесценции при лазерном возбуждении является биэкспоненциальной благодаря наличию еще одного компонента с постоянной времени τ = 900 нс. Этот субмикросекундный компонент доминирует в биэкспоненциальной кинетике, и значение его постоянной времени определяется временем переноса электрона с метастабильного -подуровня возбужденного состояния 62P3/2 в основное 62P1/2 состояние Т10 центра. Детально обсуждаются термически активированные процессы, вызывающие заселенность излучающих состояний центров Tl+ центров, ответственных за полосы люминесценции 3,0, 2,25 и 2,6 эВ.